IGBT绝缘栅双极型晶体管具有很大的优势，它被广泛的运用到各个行业的控制领域，但是往往会因为一些外界的干扰或者是自身的失效让控制工作变的困难起来，所以要设计出能够保护IGBT系统电路的保护方案。
目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式——所需余量较大，系统庞大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题。解决方案就是利用在半导体领域的生产和设计优势，结合瞬态抑制二极管的特点，在研究IGBT失效机理的基础上，通过整合系统内外部来突破设计瓶颈。这次的设计将突破传统的保护方式，探讨IGBT系统电路保护设计的解决方案。
IGBT失效场合：来自系统内部，如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流;来自系统外部，如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底，IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。
IGBT失效机理：IGBT由于上述原因发生短路，将产生很大的瞬态电流——在关断时电流变化率di/dt过大。漏感及引线电感的存在，将导致IGBT 集电极过电压，而在器件内部产生擎住效应，使IGBT锁定失效。同时，较高的过电压会使IGBT击穿。IGBT由于上述原因进入放大区， 使管子开关损耗增大。
IGBT传统防失效机理：尽量减少主电路的布线电感量和电容量，以此来减小关断过电压;在集电极和发射极之间，放置续流二极管，并接RC电路和RCD电路等;在栅极，根据电路容量合理选择串接阻抗，并接稳压二极管防止栅极过电压。
IGBT失效时两种保护模式
1. 集电极过电压、过电流防护，以IGBT变频调速电源主电路为例。
传统的保护模式是在集电极和发射极之间并接RC滤波电路，可有效地抑制关断过电压和开关损耗。但在实际应用中，由于DC电源前端的浪涌突波会使集电极过电压，并使RC滤 波电路部分的抑制效果生效，IGBT通常都会被击穿或者短路。另外，在电机起动时，由于起动时的大电流，在主线路中分布的电感亦会造成较大程度的感应过电 压，使IGBT损坏。同时，电机励磁造成的感应电动势，对电路的破坏也相当地大——工程师们经常没有考虑到这一点。
针对上述情况，浪涌突波部分可以用防雷电路进行防护。瞬雷电子开发的蓝宝宝浪涌抑制器(BPSS)，在雷击方面既具有极大的过电流能力，又具有极低的残压。同时，针对电机部分，参照ISO7637的相关标准，该产品完全可以使用。而使用其他器件则不能同时达到上述两种情况。具体问题有：压敏电阻在ISO7637的长 波(P5A)中容易失效，并且不宜长期使用;陶瓷放电管不能直接用于有源电路中，常因续流问题导致电路短路，并且抑制电压过高。
2.栅极过电压、过电流防护
传统保护模式是防护方案防止栅极电荷积累及栅源电压出现尖峰损坏IGBT——可在G极和E极之间设置一些保护元件，电阻RGE的作用，是使栅极积累电荷泄放(其阻值可取5kΩ);两个反向串联的稳压二极管V1和V2，是为了防止栅源电压尖峰损坏IGBT。另 外，还有实现控制电路部分与被驱动的IGBT之间的隔离设计，以及设计适合栅极的驱动脉冲电路等。然而即使这样，在实际使用的工业环境中，以上方案仍然具有比较高的产品失效率——有时甚至会超出5%。相关的实验数据和研究表明：这和瞬态浪涌、静电及高频电子干扰有着紧密的关系，而稳压管在此的响应时间和耐电流能力远远不足，从而导致IGBT过热而损坏。
新型保护模式是将传统的稳压管改为新型的瞬态抑制二极管(TVS)。一般栅极驱动电压约为15V，可以选型SMBJ15CA。该产品可以通过IEC61000-4-5浪涌测试10/700US 6kV。
TVS反应速度极快(达PS级)，通流能力远超稳压二极管(可达上千安培)，同时，TVS对静电具有非常好的抑制效果。该产品可以通过 IEC61000-4-2接触放电8kV和空气放电15kV的放电测试。
将传统电阻RG变更为正温度系数(PPTC)保险丝。它既具有电阻的效果，又对温度比较敏感。当内部电流增加时，其阻抗也在增加，从而对过流具有非常好的抑制效果。
我们通过将传统的保护模式和新型的保护模式在一起详细的比较之后，得知了新型保护模式可以给与igbt电力系统更全面的保护，有了新型的保护模式会让IGBT在工业控制、电力电子系统等领域发挥更加稳定的作用。
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