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行业新闻

意法半导体(ST)新款1200V IGBT是业内性能最好的低频晶体管

发布时间:2015-06-30 浏览次数:2990次
中国,2015年6月25日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证
 
券交易所代码:STM)推出S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8k
 
Hz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、
 
太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。
 
   新S系列拥有当前1200V IGBT市场上最低的饱和电压(VCE(sat)),可确保更低
 
的压降与最小的功率耗散,从而简化热管理系统。此外,正VCE(sat)温度系数结合紧密
 
的参数分布,不仅简化多支晶体管的并联设计,亦满足更大功率应用的要求。极低的
 
电压过冲和关断零振荡(zero oscillation),帮助电源厂商使用更简单的外部电路和更
 
少的外部组件。
 
   10μs最小短路耐受时间(在150°C初始结温时),无闩锁(latch-up free operati
 
on)效应,拥有175°C最高结温以及宽安全工作区。多项优势体现了新产品极强的耐
 
用性和可靠性。
 
   作为8kHz最高开关频率硬开关拓扑的理想选择,新款S系列采用第三代沟栅式场
 
截止(trench-gate field-stop)型制造工艺,补充并完善了意法半导体1200V IGBT的
 
M系列和H系列的市场布局,M系列和H系列产品分别定位在20kHz与20kHz以上的开关
 
电源市场,与新款S系列一起,这三大系列产品将成为常用开关频率电源厂商针对先
 
进、高能效IBGT器件的最佳选择。
 
   最新发布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三个额定电流值,采用标准引脚或T
 
O-247加长引脚封装。全系产品标配最新的内部续流二极管(freewheeling diode),
 
兼备快速恢复和高恢复软度,确保IGBT具有超低电磁干扰和导通损耗。
 
关于意法半导体
 
  意法半导体(STMicroelectronics; ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,为
 
客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能
 
技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,
 
到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活
 
方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活的理念。